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MMBT4403	文件：71.81 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2T；Package：SOT-23；PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for use as a general-purpose amplifier and switch for collector currents to 500 mA. 文件：71.81 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBT4403	文件：42.8 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2T；Package：SOT-23；PNP General Purpose Amplifier Description This device is designed for use as a general-purpose amplifier and switch for collector currents to 500 mA. 文件：42.8 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBT4403	文件：137.25 Kbytes Page：5 Pages	PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIER DESCRIPTION The UTC MMBT4403 is designed for use as a general purpose amplifier and switch requiring collector currents up to 500mA. 文件：137.25 Kbytes 页数：5 Pages	UTC 友顺	UTC
MMBT4403	文件：55.87 Kbytes Page：3 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (MMBT4401) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standa 文件：55.87 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MMBT4403	文件：99.73 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped an 文件：99.73 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
MMBT4403	文件：99.83 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors • Power dissipation 250 mW • Plastic case SOT-23 • Weight approx. 0.01 g • Plastic material has UL classification 94V-0 • Standard packaging taped and reeled 文件：99.83 Kbytes 页数：2 Pages	Diotec 德欧泰克	Diotec
MMBT4403	文件：88.02 Kbytes Page：3 Pages	PNP General Purpose Amplifier Features • Operating and Storage Junction Temperatures: -55°C to 150°C • Capable of 350mWatts of Power Dissipation • Surface Mount SOT-23 Package • Ic=-600mA • Lead Free Finish/RoHS Compliant (P Suffix designates RoHS Compliant. See ordering information) • Epoxy meets UL 94 V-0 flammabil 文件：88.02 Kbytes 页数：3 Pages	MCC	MCC
MMBT4403	文件：442.7 Kbytes Page：6 Pages	Switching Transistor PNP Silicon Switching Transistor PNP Silicon P/b Lead(Pb) - Free 文件：442.7 Kbytes 页数：6 Pages	WEITRON	WEITRON
MMBT4403	文件：193.13 Kbytes Page：4 Pages	丝印：2T；Package：SOT-23；PNP General Purpose Transistor FEATURES ● Epitaxial planar die construction. ● Complementary NPN type available (MMBT4401). ● Also available in lead free version. ● Ideal for medium power amplification and switching. APPLICATIONS ● Ideal for medium power amplification and switching. 文件：193.13 Kbytes 页数：4 Pages	BILIN 银河微电	BILIN
MMBT4403	文件：92.86 Kbytes Page：1 Pages	General Purpose Amplifier [HIROO] General Purpose Amplifier ■ Features ● Collector current to 500mA 文件：92.86 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

晶体管资料

型号：
MMBT4403
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
射频/高频放大（HF）_通用（G）
封装形式：
极限工作电压：
40V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
3CK10B,
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
40
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBT4403
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
SOT-23
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
400mV @ 15mA，150mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3

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