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MMBT4401LT1	文件：301.26 Kbytes Page：8 Pages	Switching Transistor SwitchingTransistor NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT4401LT1	文件：213.29 Kbytes Page：8 Pages	Switching Transistor(NPN Silicon) SwitchingTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT4401LT1	文件：265.25 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor(NPN Silicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT4401LT1	文件：43.66 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description TheMMBT4401LT1isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. AbsoluteMaximumRatings •MaximumTemperatures StorageTemperature...............................................................................................-55~+150°C Jun	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT4401LT1	文件：38.63 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT4401LT1	文件：428.57 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistor •WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements.	WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司	WILLAS
MMBT4401LT1	文件：153.69 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR (NPN) Features •Powerdissipation PCM:0.225W(Tamb=25°C) •PluseDrain ICM:0.6mA •ReverseVoltage V(BR)CBO:60V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55Cto+150C	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT4401LT1G	文件：213.29 Kbytes Page：8 Pages	Switching Transistor(NPN Silicon) SwitchingTransistor NPNSilicon Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT4401LT1G	文件：160.75 Kbytes Page：7 Pages	Switching Transistor Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT4401LT1G	文件：153.57 Kbytes Page：7 Pages	Switching Transistor NPN Silicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •SPrefixforAutomotiveandOtherApplications RequiringUniqueSiteandControlChangeRequirements	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT4401LT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 600mA 60V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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