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MMBT2369LT1	文件：215.83 Kbytes Page：8 Pages	Switcing Transistors Switching Transistors NPN Silicon 文件：215.83 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2369LT1	文件：214.82 Kbytes Page：5 Pages	Switching Transistors(NPN Silicon) Switching Transistor NPN Silicon 文件：214.82 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT2369LT1	文件：304.79 Kbytes Page：8 Pages	Switching Transistors Switching Transistors NPN Silicon 文件：304.79 Kbytes 页数：8 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT2369LT1	文件：88.35 Kbytes Page：6 Pages	Switching Transistors NPN Silicon 文件：88.35 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2369LT1	文件：300 bytes Page：1 Pages	Switching Transistors NPN Silicon Switching TransistorsNPN Silicon	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT2369LT1G	文件：94.17 Kbytes Page：6 Pages	Switching Transistors Switching Transistors NPN Silicon Features • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* 文件：94.17 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2369LT1_07	文件：88.35 Kbytes Page：6 Pages	Switching Transistors NPN Silicon 文件：88.35 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2369LT1G	文件：88.35 Kbytes Page：6 Pages	Switching Transistors NPN Silicon 文件：88.35 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2369LT1G	文件：195.81 Kbytes Page：6 Pages	Switching Transistors 文件：195.81 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2369LT1G_09	文件：195.81 Kbytes Page：6 Pages	Switching Transistors 文件：195.81 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

详细参数

型号：
MMBT2369LT1
功能描述：
两极晶体管 - BJT 200mA 15V Switching
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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