首页>MMBT2369LT1>规格书详情

MMBT2369LT1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MMBT2369LT1
厂商型号

MMBT2369LT1

参数属性

MMBT2369LT1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

功能描述

Switching Transistors NPN Silicon
TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

88.35 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-8-2 15:11:00

人工找货

MMBT2369LT1价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

MMBT2369LT1规格书详情

MMBT2369LT1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的MMBT2369LT1晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MMBT2369LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    400nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 10mA,350mV

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
22+
SOT-23
3000
原装正品,支持实单
询价
ON
1716+
?
7500
只做原装进口,假一罚十
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ON/安森美
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
ON/安森美
22+
SOT23
12000
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十
询价
ON(安森美)
2447
SOT-23-3
105000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
询价
MOTOROLA/摩托罗拉
23+
SOT-23
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
ON/安森美
21+
SOT-23-3
8080
只做原装,质量保证
询价
ON(安森美)
24+
N/A
18000
原装正品现货支持实单
询价
ON
24+/25+
3588
原装正品现货库存价优
询价