MMBT2369L分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | MMBT2369L | 
| 参数属性 | MMBT2369L 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3 | 
| 功能描述 | Switcing Transistors | 
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 
| 文件大小 | 215.83 Kbytes | 
| 页面数量 | 8 页 | 
| 生产厂商 | ONSEMI | 
| 中文名称 | 安森美半导体 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 9:50:00 | 
| 人工找货 | MMBT2369L价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
MMBT2369L规格书详情
MMBT2369L属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的MMBT2369L晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Switching Transistors
NPN Silicon
产品属性
更多- 产品编号:MMBT2369LT3G 
- 制造商:onsemi 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 
- 包装:散装 
- 晶体管类型:NPN 
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):250mV @ 1mA,10mA 
- 电流 - 集电极截止(最大值):400nA 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):40 @ 10mA,350mV 
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 
- 安装类型:表面贴装型 
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 
- 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 
- 描述:TRANS NPN 15V 0.2A SOT23-3 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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