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MMBT2907AWT1G	文件：89.79 Kbytes Page：3 Pages	General Purpose Transistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC−70/SOT−323packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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MMBT2907AWT1G	文件：35.1 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistor PNP Silicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2907AWT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-70，SOT-323 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2907AWT1G_16	文件：73.76 Kbytes Page：5 Pages	General Purpose Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
LMBT2907AWT1G	文件：50.87 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon FEATURE WedeclarethatthematerialofproductcompliancewithRoHSrequirements. S-PrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiringUniqueSite andControlChangeRequirements;AEC-Q101QualifiedandPPAPCapable.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT2907AWT1G	文件：442.58 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsPNPSilicon FEATURES ●Wedeclarethatthematerialofproductcompliancewith RoHSrequirementsandHalogenFree. ●S-prefixforautomotiveandotherapplicationsrequiring uniquesiteandcontrolchangerequirements;AEC-Q101 qualifiedandPPAPcapable.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT2907AWT1	文件：76.22 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC−70/SOT−323packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. Features •Pb−FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2907AWT1	文件：35.1 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistorPNPSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT2907AWT1	文件：285.58 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistor PNPSiliconGeneralPurposeTransistor	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫电子股份有限公司	WILLAS
MMBT2907AWT1	文件：76.24 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposemplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMBT2907AWT1	文件：53.05 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposemplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70packagewhichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	LRCLeshan Radio Co., Ltd 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
NSVMMBT2907AWT1G	文件：73.76 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
MMBT2907AWT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3

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