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MMBT2484	文件：39.47 Kbytes Page：2 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier This device is designed for low noise, high gain, general purpose amplifier applications at collector currents from 1µ to 50 mA. Sourced from Process 07. See 2N5088 for characteristics. 文件：39.47 Kbytes 页数：2 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBT2484	文件：93.36 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier 文件：93.36 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MMBT2484	文件：93.36 Kbytes Page：3 Pages	NPN General Purpose Amplifier NPN General Purpose Amplifier 文件：93.36 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MMBT2484	文件：321.29 Kbytes Page：7 Pages	NPN General Purpose Amplifier 文件：321.29 Kbytes 页数：7 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
MMBT2484	文件：300 bytes Page：1 Pages	MMBT2484: NPN General Purpose Amplifier NPN通用放大器该器件设计用于集电极电流从1m到50 mA的低噪声、高增益、通用放大器应用。采用工艺07设计。相关特性，请参见2N5088。	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2484	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2484LT1	文件：206.27 Kbytes Page：8 Pages	Low Noise Transistor(NPN Silicon) Low Noise Transistor NPN Silicon 文件：206.27 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MMBT2484LT1	文件：209.95 Kbytes Page：4 Pages	Low Noise Transistor(NPN Silicon) Low Noise Transistor NPN Silicon 文件：209.95 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MMBT2484LT1	文件：291.95 Kbytes Page：6 Pages	Low Noise Transistor Low Noise Transistor NPN Silicon 文件：291.95 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MMBT2484LT1G	文件：196.72 Kbytes Page：5 Pages	Low Noise Transistor Low Noise Transistor NPN Silicon Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 文件：196.72 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
MMBT2484
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低频或音频放大（LF）_静噪放大（LN）_宽频带放大
封装形式：
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.05A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
可代换的型号：
最大耗散功率：
0.3W
放大倍数：
图片代号：
NO
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.05
wtest：
0.3

产品属性

产品编号：
MMBT2484
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
350mV @ 100µA，1mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10µA，5V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3

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