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MMBT2484LT1G

Low Noise Transistor

LowNoiseTransistor NPNSilicon Features •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MMBT2484LT1G

Low Noise Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MMBT2484LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MMBT2484LT1G_16

Low Noise Transistor

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MMBT2484LT1

LowNoiseTransistor(NPNSilicon)

LowNoiseTransistor NPNSilicon

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

MMBT2484LT1

LowNoiseTransistor(NPNSilicon)

LowNoiseTransistor NPNSilicon

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

MMBT2484LT1

LowNoiseTransistor

LowNoiseTransistor NPNSilicon

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT2484LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 100µA,1mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    250 @ 1mA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
onsemi(安森美)
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更多MMBT2484LT1G供应商 更新时间2025-7-24 16:51:00