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MMBT2484LT1G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | MMBT2484LT1G | 
| 参数属性 | MMBT2484LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 | 
| 功能描述 | Low Noise Transistor | 
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 
| 文件大小 | 196.72 Kbytes | 
| 页面数量 | 5 页 | 
| 生产厂商 | ONSEMI | 
| 中文名称 | 安森美半导体 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 12:30:00 | 
| 人工找货 | MMBT2484LT1G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
MMBT2484LT1G规格书详情
MMBT2484LT1G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的MMBT2484LT1G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Low Noise Transistor
NPN Silicon
特性 Features
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant
产品属性
更多- 产品编号:MMBT2484LT1G 
- 制造商:onsemi 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 
- 晶体管类型:NPN 
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):350mV @ 100µA,1mA 
- 电流 - 集电极截止(最大值):10nA(ICBO) 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 1mA,5V 
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 
- 安装类型:表面贴装型 
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 
- 供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236) 
- 描述:TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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