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MMBT2484LT1G

Low Noise Transistor

文件:227.16 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2484LT1G_16

Low Noise Transistor

文件:227.16 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2484LT1

Low Noise Transistor

恩XP

恩XP

MMBT2484LT1

Low Noise Transistor(NPN Silicon)

LRC

乐山无线电

MMBT2484LT1G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

MMBT2484LT3G

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3

ONSEMI

安森美半导体

晶体管资料

  • 型号:

    MMBT2484

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_静噪放大 (LN)_宽频带放大

  • 封装形式:

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    0.05A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    NO

  • vtest:

    60

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.05

  • wtest:

    0.3

产品属性

  • 产品编号:

    MMBT2484

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    350mV @ 100µA,1mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 10µA,5V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 0.1A SOT23-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ONSEMI/安森美
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更多MMBT2484供应商 更新时间2025-12-25 9:02:00