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MJD32C1G	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：81.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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MJD32CG	文件：135.34 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors 文件：135.34 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD32CG	文件：100.84 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Power Transistors 文件：100.84 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD32CG	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：81.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD32CQ	文件：433.13 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：433.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD32CQ_15	文件：315.53 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN TO252 文件：315.53 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD32CQ_16	文件：433.13 Kbytes Page：7 Pages	100V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR 文件：433.13 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
MJD32CRL	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：81.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MJD32CRLG	文件：81.61 Kbytes Page：8 Pages	Complementary Power Transistors 文件：81.61 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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产品属性

产品编号：
MJD32C
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.2V @ 375mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 3A，4V
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP 100V 3A DPAK

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更多MJD32C供应商更新时间2025-10-4 14:01:00

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