丝印：MASTERGAN1；Package：QFN9x9x1mm；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Features • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage power GaN transistors: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 150 mΩ – IDS(MAX) = 10 A • Reverse current capability • Zero reverse recovery loss • UVLO protection on low-side and high-side • Internal b

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丝印：MASTERGAN1；Package：QFN9x9x1mm；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Features • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage power GaN transistors: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 150 mΩ – IDS(MAX) = 10 A • Reverse current capability • Zero reverse recovery loss • UVLO protection on low-side and high-side • Internal b

文件：529.53 Kbytes 页数：27 Pages

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丝印：MASTERGAN2；Package：QFN；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Features • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage power GaN transistors in asymmetrical configuration: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 150 mΩ (LS) + 225 mΩ (HS) – IDS(MAX) = 10 A (LS) + 6.5 A (HS) • Reverse current capability • Zero reverse recov

文件：680.33 Kbytes 页数：29 Pages

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丝印：MASTERGAN2；Package：QFN；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Features • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage power GaN transistors in asymmetrical configuration: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 150 mΩ (LS) + 225 mΩ (HS) – IDS(MAX) = 10 A (LS) + 6.5 A (HS) • Reverse current capability • Zero reverse recov

文件：680.33 Kbytes 页数：29 Pages

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High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN Power HEMT

Features • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage GaN power transistors: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 225 mΩ – IDS(MAX) = 6.5 A • Reverse current capability • Zero reverse recovery loss • UVLO protection on low-side and high-side • Internal

文件：396.45 Kbytes 页数：14 Pages

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High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN Power HEMT

Features • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage GaN power transistors: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 225 mΩ – IDS(MAX) = 6.5 A • Reverse current capability • Zero reverse recovery loss • UVLO protection on low-side and high-side • Internal

文件：396.45 Kbytes 页数：14 Pages

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带有高压驱动器的600 V半桥增强模式GaN HEMT

MASTERGAN1L是一款先进的系统级功率封装器件，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。\n\n 集成的功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源闭锁电压，而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。\n\n MASTERGAN1L在VCC上具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免出现交叉传导的情况。\n\n 输入引脚的范围经过扩展，可与模拟控制器、微控制器和DSP单元轻松连接。\n\n MASTERGAN1L的工作温度范围为-40°C至125°C。\n\n 该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。 • 600 V系统级封装集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管： \n •QFN 9 x 9 x 1 mm封装 \n •RDS(ON) = 150 mΩ \n •IDS(MAX) = 10 A \n• 反向电流能力 \n• 零反向恢复损耗 \n• VCC上的UVLO保护 \n• 内部自举二极管 \n• 互锁功能 \n• 关闭功能专用引脚• 准确的内部定时匹配 \n• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入 \n• 热保护 \n• 减少物料单 \n• 非常紧凑且简便的布局 \n• 灵活快捷的设计。 \n• 超短唤醒时间，少于200 ns;

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High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

MASTERGAN2是一款先进的系统级功率封装，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。\n\n 集成的GaN功率晶体管具有650 V漏-源击穿电压、低侧和高侧的RDS(ON)分别为150mΩ和225mΩ，而嵌入式栅极驱动器的高侧可以由集成的自举二极管轻松供电\n\n MASTERGAN2在上下驱动部分均具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉传导情况。\n\n 输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。\n\n MASTERGAN2的工作温度范围为-40°C至125°C。\n\n 该器件采用紧凑型9x9 mm • 600 V系统级封装在非对称配置中集成了半桥栅极驱动器和高压氮化镓功率晶体管： \n •QFN 9 x 9 x 1 mm 封装 \n •RDS(ON) = 150mΩ（低侧） + 225mΩ（高侧） \n •IDS(MAX) = 10 A（低侧） + 6.5 A（高侧） \n• 反向电流能力 \n• 零反向恢复损耗 \n• 低侧和高侧UVLO保护 \n• 内置自举二极管 \n• 互锁功能 \n• 关闭功能专用引脚• 准确的内部定时匹配 \n• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入 \n• 热保护 \n• 减少物料单 \n• 非常紧凑且简便的布局 \n• 灵活快捷的设计。;

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高功率密度600 V半桥驱动器，配两个增强模式GaN HEMT

MASTERGAN3是一款先进的系统级功率封装，在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN功率晶体管。\n\n 集成的功率氮化镓具有650 V耐压和RDS(ON) 为225毫欧的下管以及导通阻抗为450 mΩ的上管，同时上管的驱动电压可以方便的通过内置的自举二极管提供。\n\n MASTERGAN3在上下管都有驱动欠压保护功能，避免由于驱动不足导致效率低的危险工况。 驱动输入逻辑信号具有互锁功能，避免上下管共通。\n\n 输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。\n\n MASTERGAN3的工作温度范围为-40°C至125°C。\n\n 该器件采用紧凑 • 600 V系统级封装集成了半桥驱动和高压氮化镓开关管的非对称设计 \n •QFN 9 x 9 x 1 mm 封装 \n •RDS(ON) = 225 mΩ（低边）+ 450 mΩ（高边） \n •IDS(MAX) = 6.5 A（低边） + 4 A（高边） \n• 反向电流能力 \n• 零反向恢复损耗 \n• 低边和高边UVLO保护 \n• 集成自举二极管 \n• 互锁功能 \n• 关闭功能专用引脚• 准确的内部定时匹配 \n• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入 \n• 过热保护 \n• 减少物料单 \n• 非常紧凑且简便的布局 \n• 灵活快捷的设计。;

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Package：31-VQFN 裸露焊盘；包装：管件 类别：集成电路（IC） 电源管理 - 专用 描述：HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI

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