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MASTERGAN2	文件：680.33 Kbytes Page：29 Pages	Marking：MASTERGAN2；Package：QFN；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistorsinasymmetricalconfiguration: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ(LS)+225mΩ(HS) –IDS(MAX)=10A(LS)+6.5A(HS) •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MASTERGAN2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：31-VQFN 裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）电源管理 - 专用描述：HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MASTERGAN2TR	文件：680.33 Kbytes Page：29 Pages	Marking：MASTERGAN2；Package：QFN；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistorsinasymmetricalconfiguration: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ(LS)+225mΩ(HS) –IDS(MAX)=10A(LS)+6.5A(HS) •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecov	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistorsinasymmetricalconfiguration: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ(LS)+225mΩ(HS) –IDS(MAX)=10A(LS)+6.5A(HS) •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecov

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Package：31-VQFN 裸露焊盘；包装：管件类别：集成电路（IC）电源管理 - 专用描述：HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI

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产品属性

产品编号：
MASTERGAN2
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 电源管理 - 专用
包装：
管件
应用：
电源
电压 - 供电：
3.3V ~ 15V
工作温度：
-40°C ~ 125°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
31-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
31-QFN（9x9）
描述：
HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市高捷芯城科技有限公司	MASTERGAN2	ST(意法半导体)	24+	VFQFPN-31L(9x9)	3022	深耕行业12年,可提供技术支持。	询价
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更多MASTERGAN2供应商更新时间2025-5-20 10:12:00

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