MASTERGAN4TR规格书批发供应意法半导体-114ic电子网

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MASTERGAN4TR	文件：396.45 Kbytes Page：14 Pages	High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN Power HEMT Features • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage GaN power transistors: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 225 mΩ – IDS(MAX) = 6.5 A • Reverse current capability • Zero reverse recovery loss • UVLO protection on low-side and high-side • Internal 文件：396.45 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
MASW-008543	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	M/A-COM 上传：深圳市科恒伟业电子有限公司	M/A-COM
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中天科工半导体（深圳）有限公司	MASTERGAN4TR	ST/意法	25+	QFN-31	32360	ST/意法全新特价MASTERGAN4TR即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多MASTERGAN4TR供应商更新时间2026-1-17 9:04:00