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MASTERGAN2数据手册集成电路(IC)的电源管理-专用规格书PDF

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厂商型号

MASTERGAN2

参数属性

MASTERGAN2 封装/外壳为31-VQFN 裸露焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC)的电源管理-专用;MASTERGAN2应用范围:电源;产品描述:HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI

功能描述

High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs
HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI

封装外壳

31-VQFN 裸露焊盘

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-6 16:04:00

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MASTERGAN2规格书详情

描述 Description

MASTERGAN2是一款先进的系统级功率封装,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。

集成的GaN功率晶体管具有650 V漏-源击穿电压、低侧和高侧的RDS(ON)分别为150mΩ和225mΩ,而嵌入式栅极驱动器的高侧可以由集成的自举二极管轻松供电

MASTERGAN2在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。

输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。

MASTERGAN2的工作温度范围为-40°C至125°C。

该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。

特性 Features

• 600 V系统级封装在非对称配置中集成了半桥栅极驱动器和高压氮化镓功率晶体管:
•QFN 9 x 9 x 1 mm 封装
•RDS(ON) = 150mΩ(低侧) + 225mΩ(高侧)
•IDS(MAX) = 10 A(低侧) + 6.5 A(高侧)
• 反向电流能力
• 零反向恢复损耗
• 低侧和高侧UVLO保护
• 内置自举二极管
• 互锁功能
• 关闭功能专用引脚
• 准确的内部定时匹配
• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
• 热保护
• 减少物料单
• 非常紧凑且简便的布局
• 灵活快捷的设计。

简介

MASTERGAN2属于集成电路(IC)的电源管理-专用。由制造生产的MASTERGAN2电源管理 - 专用专用型电源管理集成电路 (PMIC) 用于电源的控制或操作,适合特定或小范围的目标应用,例如汽车气囊管理、电容器组平衡、AC 公共电力监控、存储器总线端接、接地故障检测、能量收集、小型引擎管理、处理器或芯片集专用电压调节、负载突降保护、触觉驱动器、热电制冷器控制等。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    MASTERGAN2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 电源管理 - 专用

  • 包装:

    管件

  • 应用:

    电源

  • 电压 - 供电:

    3.3V ~ 15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    31-VQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    31-QFN(9x9)

  • 描述:

    HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI

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