MASTERGAN1L中文资料带有高压驱动器的600 V半桥增强模式GaN HEMT数据手册ST规格书

描述 Description

MASTERGAN1L是一款先进的系统级功率封装器件，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。

集成的功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源闭锁电压，而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。

MASTERGAN1L在VCC上具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免出现交叉传导的情况。

输入引脚的范围经过扩展，可与模拟控制器、微控制器和DSP单元轻松连接。

MASTERGAN1L的工作温度范围为-40°C至125°C。

该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。

特性 Features

• 600 V系统级封装集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管：
•QFN 9 x 9 x 1 mm封装
•RDS(ON) = 150 mΩ
•IDS(MAX) = 10 A
• 反向电流能力
• 零反向恢复损耗
• VCC上的UVLO保护
• 内部自举二极管
• 互锁功能
• 关闭功能专用引脚
• 准确的内部定时匹配
• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入
• 热保护
• 减少物料单
• 非常紧凑且简便的布局
• 灵活快捷的设计。
• 超短唤醒时间，少于200 ns