带有高压驱动器的600 V半桥增强模式GaN HEMT

MASTERGAN1L是一款先进的系统级功率封装器件，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。\n\n 集成的功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源闭锁电压，而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。\n\n MASTERGAN1L在VCC上具有UVLO保护，可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免出现交叉传导的情况。\n\n 输入引脚的范围经过扩展，可与模拟控制器、微控制器和DSP单元轻松连接。\n\n MASTERGAN1L的工作温度范围为-40°C至125°C。\n\n 该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。 • 600 V系统级封装集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管： \n •QFN 9 x 9 x 1 mm封装 \n •RDS(ON) = 150 mΩ \n •IDS(MAX) = 10 A \n• 反向电流能力 \n• 零反向恢复损耗 \n• VCC上的UVLO保护 \n• 内部自举二极管 \n• 互锁功能 \n• 关闭功能专用引脚• 准确的内部定时匹配 \n• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入 \n• 热保护 \n• 减少物料单 \n• 非常紧凑且简便的布局 \n• 灵活快捷的设计。 \n• 超短唤醒时间，少于200 ns;

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SMD

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