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MASTERGAN2 | Marking：MASTERGAN2；Package：QFN；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistorsinasymmetricalconfiguration: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ(LS)+225mΩ(HS) –IDS(MAX)=10A(LS)+6.5A(HS) •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecov | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
Marking：MASTERGAN2；Package：QFN；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistorsinasymmetricalconfiguration: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ(LS)+225mΩ(HS) –IDS(MAX)=10A(LS)+6.5A(HS) •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecov | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
产品属性
- 产品编号：
MASTERGAN2
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
集成电路（IC） > 电源管理 - 专用
- 包装：
管件
- 应用：
电源
- 电压 - 供电：
3.3V ~ 15V
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
31-VQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
31-QFN（9x9）
- 描述：
HIGH PWR DENS GAN 600V HALF BRI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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