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MASTERGAN1 | Marking：MASTERGAN1；Package：QFN9x9x1mm；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistors: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ –IDS(MAX)=10A •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecoveryloss •UVLOprotectiononlow-sideandhigh-side •Internalb | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS | |
Marking：MASTERGAN1；Package：QFN9x9x1mm；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistors: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ –IDS(MAX)=10A •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecoveryloss •UVLOprotectiononlow-sideandhigh-side •Internalb | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | STMICROELECTRONICS |
产品属性
- 产品编号：
MASTERGAN1
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
集成电路（IC） > 电源管理 - 专用
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 应用：
电源
- 电流 - 供电：
800µA
- 电压 - 供电：
4.75V ~ 9.5V
- 工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
31-VQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
31-QFN（9x9）
- 描述：
HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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