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MASTERGAN1 | 丝印:MASTERGAN1;Package:QFN9x9x1mm;High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage power GaN transistors: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 150 mΩ – IDS(MAX) = 10 A • Reverse current capability • Zero reverse recovery loss • UVLO protection on low-side and high-side • Internal b 文件:529.53 Kbytes 页数:27 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
丝印:MASTERGAN1;Package:QFN9x9x1mm;High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage power GaN transistors: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 150 mΩ – IDS(MAX) = 10 A • Reverse current capability • Zero reverse recovery loss • UVLO protection on low-side and high-side • Internal b 文件:529.53 Kbytes 页数:27 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
MASTERGAN1 | High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs MASTERGAN1是一款先进的系统级功率封装,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。\n\n 集成功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源击穿电压,而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。\n\n MASTERGAN1在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。\n\n 输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。\n\n MASTERGAN1的工作温度范围为-40°C至125°C。\n\n 该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。 • 集成半桥栅极驱动器和高压GaN的系统级功率封装 \n •RDS(ON) = 150 mΩ \n •IDS(MAX) = 10 A \n •IDS(MAX) = 10 A \n• 反向电流能力 \n• 零反向恢复损耗 \n• 低边和高边UVLO保护 \n• 内置自举二极管 \n• 互锁功能 \n• 关闭功能专用引脚• 准确的内部定时匹配 \n• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入 \n• 过热保护 \n• 减少物料单 \n• 非常紧凑且简便的布局 \n• 灵活快捷的设计。; | ST 意法半导体 | ST | |
MASTERGAN1 | Package:31-VQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 电源管理 - 专用 描述:HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
带有高压驱动器的600 V半桥增强模式GaN HEMT MASTERGAN1L是一款先进的系统级功率封装器件,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。\n\n 集成的功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源闭锁电压,而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。\n\n MASTERGAN1L在VCC上具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免出现交叉传导的情况。\n\n 输入引脚的范围经过扩展,可与模拟控制器、微控制器和DSP单元轻松连接。\n\n MASTERGAN1L的工作温度范围为-40°C至125°C。\n\n 该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。 • 600 V系统级封装集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管: \n •QFN 9 x 9 x 1 mm封装 \n •RDS(ON) = 150 mΩ \n •IDS(MAX) = 10 A \n• 反向电流能力 \n• 零反向恢复损耗 \n• VCC上的UVLO保护 \n• 内部自举二极管 \n• 互锁功能 \n• 关闭功能专用引脚• 准确的内部定时匹配 \n• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入 \n• 热保护 \n• 减少物料单 \n• 非常紧凑且简便的布局 \n• 灵活快捷的设计。 \n• 超短唤醒时间,少于200 ns; | ST 意法半导体 | ST |
产品属性
- 产品编号:
MASTERGAN1
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 电源管理 - 专用
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 应用:
电源
- 电流 - 供电:
800µA
- 电压 - 供电:
4.75V ~ 9.5V
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
31-VQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
31-QFN(9x9)
- 描述:
HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
QFN-31(9x9) |
1090 |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
询价 | ||
STMicr |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
STMICROELECTRONICS |
23+ |
QFN-31 |
3000 |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
询价 | ||
ST(意法) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST |
2100 |
只做正品 |
询价 | ||||
24+ |
10 |
询价 | |||||
STMicroelectronics |
23+/22+ |
1048 |
原装进口订货7-10个工作日 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
25+ |
31-VQFN 裸露焊盘 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源! |
询价 | ||
STMicroelectronics |
2025 |
1038 |
全新、原装 |
询价 |
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