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MASTERGAN1

丝印:MASTERGAN1;Package:QFN9x9x1mm;High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Features • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage power GaN transistors: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 150 mΩ – IDS(MAX) = 10 A • Reverse current capability • Zero reverse recovery loss • UVLO protection on low-side and high-side • Internal b

文件:529.53 Kbytes 页数:27 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MASTERGAN1TR

丝印:MASTERGAN1;Package:QFN9x9x1mm;High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

Features • 600 V system-in-package integrating half-bridge gate driver and high-voltage power GaN transistors: – QFN 9 x 9 x 1 mm package – RDS(ON) = 150 mΩ – IDS(MAX) = 10 A • Reverse current capability • Zero reverse recovery loss • UVLO protection on low-side and high-side • Internal b

文件:529.53 Kbytes 页数:27 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MASTERGAN1

High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

MASTERGAN1是一款先进的系统级功率封装,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。\n\n 集成功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源击穿电压,而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。\n\n MASTERGAN1在上下驱动部分均具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免交叉传导情况。\n\n 输入引脚的扩展范围可与微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器轻松连接。\n\n MASTERGAN1的工作温度范围为-40°C至125°C。\n\n 该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。 • 集成半桥栅极驱动器和高压GaN的系统级功率封装 \n •RDS(ON) = 150 mΩ \n •IDS(MAX) = 10 A \n •IDS(MAX) = 10 A \n• 反向电流能力 \n• 零反向恢复损耗 \n• 低边和高边UVLO保护 \n• 内置自举二极管 \n• 互锁功能 \n• 关闭功能专用引脚• 准确的内部定时匹配 \n• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入 \n• 过热保护 \n• 减少物料单 \n• 非常紧凑且简便的布局 \n• 灵活快捷的设计。;

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意法半导体

MASTERGAN1

Package:31-VQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 电源管理 - 专用 描述:HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH

STMICROELECTRONICS

意法半导体

MASTERGAN1L

带有高压驱动器的600 V半桥增强模式GaN HEMT

MASTERGAN1L是一款先进的系统级功率封装器件,在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式GaN晶体管。\n\n 集成的功率GaN具有150 mΩ的RDS(ON)和650 V漏源闭锁电压,而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。\n\n MASTERGAN1L在VCC上具有UVLO保护,可防止电源开关在低效率或危险条件下运行,并且互锁功能可避免出现交叉传导的情况。\n\n 输入引脚的范围经过扩展,可与模拟控制器、微控制器和DSP单元轻松连接。\n\n MASTERGAN1L的工作温度范围为-40°C至125°C。\n\n 该器件采用紧凑型9x9 mm QFN封装。 • 600 V系统级封装集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管: \n •QFN 9 x 9 x 1 mm封装 \n •RDS(ON) = 150 mΩ \n •IDS(MAX) = 10 A \n• 反向电流能力 \n• 零反向恢复损耗 \n• VCC上的UVLO保护 \n• 内部自举二极管 \n• 互锁功能 \n• 关闭功能专用引脚• 准确的内部定时匹配 \n• 具有滞回和下拉功能的3.3 V至15 V兼容输入 \n• 热保护 \n• 减少物料单 \n• 非常紧凑且简便的布局 \n• 灵活快捷的设计。 \n• 超短唤醒时间,少于200 ns;

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意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    MASTERGAN1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 电源管理 - 专用

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 应用:

    电源

  • 电流 - 供电:

    800µA

  • 电压 - 供电:

    4.75V ~ 9.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    31-VQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    31-QFN(9x9)

  • 描述:

    HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MASTERGAN1供应商 更新时间2025-10-13 10:28:00