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MASTERGAN1	文件：529.53 Kbytes Page：27 Pages	Marking：MASTERGAN1；Package：QFN9x9x1mm；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistors: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ –IDS(MAX)=10A •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecoveryloss •UVLOprotectiononlow-sideandhigh-side •Internalb	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MASTERGAN1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：31-VQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）电源管理 - 专用描述：HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
MASTERGAN1TR	文件：529.53 Kbytes Page：27 Pages	Marking：MASTERGAN1；Package：QFN9x9x1mm；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT Features •600Vsystem-in-packageintegratinghalf-bridgegatedriverandhigh-voltage powerGaNtransistors: –QFN9x9x1mmpackage –RDS(ON)=150mΩ –IDS(MAX)=10A •Reversecurrentcapability •Zeroreverserecoveryloss •UVLOprotectiononlow-sideandhigh-side •Internalb	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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Marking：MASTERGAN1；Package：QFN9x9x1mm；High power density 600V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT

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Package：31-VQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）电源管理 - 专用描述：HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH

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产品属性

产品编号：
MASTERGAN1
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 电源管理 - 专用
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
应用：
电源
电流 - 供电：
800µA
电压 - 供电：
4.75V ~ 9.5V
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
31-VQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
31-QFN（9x9）
描述：
HIGH-DENSITY POWER DRIVER - HIGH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MASTERGAN1	ST(意法半导体)	24+	QFN-31(9x9)	1090	深耕行业12年,可提供技术支持。	询价
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更多MASTERGAN1供应商更新时间2025-7-26 23:00:00

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