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IXTQ26N60P	文件：300.95 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTQ26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTV26N60P	文件：294.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTV26N60PS	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SIHFP26N60L	文件：159.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFP26N60L	文件：226.66 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFP26N60L	文件：444.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHH26N60E	文件：195.34 Kbytes Page：9 Pages	Kelvinconnectionforreducedgatenoise	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH26N60EF	文件：201.76 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •Completelylead(Pb)-freedevice •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vish	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多IXTT26N60P供应商更新时间2025-5-21 11:10:00

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