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IXTT26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP26N60L	文件：444.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •SwitchingVoltageRegulators •FEATURES •Lowdrain-sourceon-resistance: RDS(ON)=0.25Ω(MAX) •Enhancementmode: Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=0.25mA) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP26N60L	文件：220.74 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Superfastbodydiodeeliminatestheneedfor externaldiodesinZVSapplications •Lowergatechargeresultsinsimplerdrive requirements •EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness •Highergatevoltagethresholdoffersimprovednoise immunity •Materialcategoriza	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP26N60L	文件：226.66 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP26N60L	文件：198.47 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET FeaturesandBenefits •Superfastbodydiodeeliminatestheneedforexternal diodesinZVSapplications •LowerGatechargeresultsinsimplerdriverequirements •EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness •HigherGatevoltagethresholdoffersimprovednoiseimmunity Applica	IRF International Rectifier	IRF
IRFP26N60L	文件：159.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP26N60LPBF	文件：206.92 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET(VDSS=600V,RDS(on)typ.=210m廓,Trrtyp.=170ns,ID=26A) FeaturesandBenefits •Superfastbodydiodeeliminatestheneedforexternal diodesinZVSapplications •LowerGatechargeresultsinsimplerdriverequirements •EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness •HigherGatevoltagethresholdoffersimprovednoiseimmunity •Lead-	IRF International Rectifier	IRF
IRFP26N60LPBF	文件：159.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP26N60LPBF	文件：226.66 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IXFH26N60	文件：337.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=26A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	IXTT26N60P	IXYS	24+	TO-268AA	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
深圳市一线半导体有限公司	IXTT26N60P	IXYS	24+	TO-268	8866		询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	IXTT26N60P	IXYS	1931+	N/A	18	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市科雨电子有限公司	IXTT26N60P	IXYS	1809+	TO-268	326	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市易讯博科技有限公司	IXTT26N60P	IXYS	22+	NA	18	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	IXTT26N60P	IXYS	22+	TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T	9000	原厂渠道,现货配单	询价
深圳市芯福林电子科技有限公司	IXTT26N60P	IXYS	21+	TO2683 D3Pak (2 Leads + Tab) T	13880	公司只售原装,支持实单	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	IXTT26N60P	IXYS/艾赛斯	23+	TO-268	6000	原装正品，支持实单	询价
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