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IXTT26N60P	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHV Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTV26N60P	文件：294.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTV26N60PS	文件：236.59 Kbytes Page：5 Pages	PolarHVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SIHFP26N60L	文件：159.36 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET PowerMOSFET FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimplerDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFP26N60L	文件：226.66 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFP26N60L	文件：444.99 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHH26N60E	文件：195.34 Kbytes Page：9 Pages	Kelvinconnectionforreducedgatenoise	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH26N60EF	文件：201.76 Kbytes Page：9 Pages	ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode FEATURES •Completelylead(Pb)-freedevice •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vish	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHH26N60EF	文件：201.1 Kbytes Page：9 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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