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IXTH200N085T	文件：211.28 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMV Power MOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA200N085T	文件：221.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highp	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTA200N085T	文件：299.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤5.0mΩ@VGS=10V •Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATION •DC/DCConverters •HighCurrentSwi	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA-200N085T	文件：221.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highp	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTC200N085T	文件：295.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTH200N085	文件：367.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=85V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP200N085T	文件：295.17 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTP-200N085T	文件：221.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated TrenchMVPowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature Advantages •Easytomount •Spacesavings •Highp	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ200N085T	文件：211.28 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTQ200N085T	文件：301.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
IXTH200N085T
功能描述：
MOSFET 200 Amps 85V 5.0 Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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