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IXTP-200N085T	文件：221.18 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TrenchMV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • Ultra-low On Resistance • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect • 175 ° C Operating Temperature Advantages • Easy to mount • Space savings • High p 文件：221.18 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ200N085T	文件：211.28 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMV Power MOSFET 文件：211.28 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTQ200N085T	文件：301.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：301.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTA200N085T	文件：221.18 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TrenchMV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • Ultra-low On Resistance • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect • 175 ° C Operating Temperature Advantages • Easy to mount • Space savings • High p 文件：221.18 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTA200N085T	文件：299.35 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor • FEATURES • Static drain-source on-resistance: RDS(on) ≤ 5.0mΩ@VGS=10V • Fully characterized avalanche voltage and current • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation • APPLICATION • DC/DC Converters • High Current Swi 文件：299.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXTA-200N085T	文件：221.18 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TrenchMV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Features • Ultra-low On Resistance • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect • 175 ° C Operating Temperature Advantages • Easy to mount • Space savings • High p 文件：221.18 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

详细参数

型号：
IXTP-200N085T
制造商：
IXYS
制造商全称：
IXYS Corporation
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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