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IXGH20N60	文件：64.36 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT LowVCE(sat)IGBTHighspeedIGBT Features lInternationalstandardpackages l2ndgenerationHDMOSTMprocess lLowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses lHighcurrenthandlingcapability lMOSGateturn-on -drivesimplicity lVoltageratingguaranteedat	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH20N60	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 150W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH20N60A	文件：64.36 Kbytes Page：2 Pages	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT LowVCE(sat)IGBTHighspeedIGBT Features lInternationalstandardpackages l2ndgenerationHDMOSTMprocess lLowVCE(sat) -forlowon-stateconductionlosses lHighcurrenthandlingcapability lMOSGateturn-on -drivesimplicity lVoltageratingguaranteedat	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH20N60B	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFAST IGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH20N60BD1	文件：54.26 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFAST IGBT with Diode VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •Internationalstandardpackages •HighfrequencyIGBTandantiparallelFREDinonepackage •Highcurrenthandlingcapability •HiPerFASTTMHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity Applications •Unin	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH20N60AU1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 150W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH20N60B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 40A 150W TO247AD	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
20N60	文件：176.25 Kbytes Page：3 Pages	20A,600VN-CHANNELPOWERMOSFET ■DESCRIPTION TheUTC20N60isanN-channelenhancementmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyisspecializedinallowingaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstand	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
20N60	文件：95.42 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
20N60	文件：1.15549 Mbytes Page：11 Pages	N-Channel650-V(D-S)SuperJunctionMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
20N60A	文件：833.85 Kbytes Page：6 Pages	20A600VN-channelenhancedfieldeffecttransistor	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
20N60B	文件：114.65 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFASTIGBT VCES=600V IC25=40A VCE(sat)typ=1.7V tfi(typ)=100ns Features •InternationalstandardpackagesJEDECTO-268surfacemountableandJEDECTO-247AD •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on -drivesimplicity	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
20N60CFD	文件：50.2 Kbytes Page：1 Pages	HITACHIEncapsulation,DIP16	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
20N60CFD	文件：471.68 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
20N60CFD	文件：654.59 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSTMPowerTransistorFeaturesNewrevolutionaryhighvoltagetechnologyExtremedv/dtrated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
20N60CFD	文件：293.38 Kbytes Page：12 Pages	CoolMOSPowerTransistor Features •Newrevolutionaryhighvoltagetechnology •Intrinsicfast-recoverybodydiode •Extremelylowreverserecoverycharge •Ultralowgatecharge •Extremedv/dtrated •Highpeakcurrentcapability •Periodicavalancherated •Qualifiedforindustrialgradeapplicationsaccording	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AFGB20N60SFD	文件：166.78 Kbytes Page：9 Pages	Usingnovelfield−stopIGBTtechnology Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A •HighInputImpedance •FastSwitching •AEC−Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AFGB20N60SFD-BW	文件：166.78 Kbytes Page：9 Pages	Usingnovelfield−stopIGBTtechnology Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.2V@IC=20A •HighInputImpedance •FastSwitching •AEC−Q101QualifiedtoAutomotiveRequirements •TheseDevicesarePb−FreeandareRoHSCompliant	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
AIKB20N60CT	文件：2.00644 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-paralleldiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AIKP20N60CT	文件：2.14166 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
IXGH20N60
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，20A
开关能量：
1.5mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
100ns/600ns
测试条件：
480V，20A，82 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 600V 40A 150W TO247AD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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