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IXGH20N60B分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

IXGH20N60B

参数属性

IXGH20N60B 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 150W TO247AD

功能描述

HiPerFAST IGBT
IGBT 600V 40A 150W TO247AD

封装外壳

TO-247-3

文件大小

114.65 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

IXYS

中文名称

艾赛斯

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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IXGH20N60B规格书详情

IXGH20N60B属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由艾赛斯制造生产的IXGH20N60B晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

VCES = 600 V

IC25 = 40 A

VCE(sat)typ = 1.7 V

tfi(typ) = 100 ns

特性 Features

• International standard packages JEDEC TO-268 surface mountable and JEDEC TO-247 AD

• High current handling capability

• Latest generation HDMOSTM process

• MOS Gate turn-on

- drive simplicity

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• DC choppers

• Uninterruptible power supplies (UPS)

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

Advantages

• Space savings (two devices in one package)

• High power density

• Suitable for surface mounting

• Switching speed for high frequency applications

• Easy to mount with 1 screw,TO-247 (isolated mounting screw hole)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    IXGH20N60B

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    150µJ(开),700µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    15ns/150ns

  • 测试条件:

    480V,20A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AD

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 150W TO247AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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