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AIKP20N60CT	文件：300 bytes Page：1 Pages	汽车IGBT及半导体分立器件 Infineon's Discrete IGBT TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V Automotive applications offers very tight parameter distribution, high ruggedness, temperature stable behavior and very high switching speed. • Very low V CEsat1.5V (typ.)\n• Maximum junction temperature 175°C\n• Short circuit withstand time 5µs\n• Positive temperature coefficient in V CEsat\n• Low EMI\n• Low gate charge\n• Green package\n• Very soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled HE diode\n\n优势:;	Infineon 英飞凌	Infineon
AIKP20N60CT	文件：2.14166 Mbytes Page：16 Pages	丝印：AK20DCT；Package：PG-TO220-3；Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel Emitter Controlled diode 文件：2.14166 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AIKP20N60CTAKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IC DISCRETE 600V TO220-3	Infineon 英飞凌	Infineon
AIKW20N60CT	文件：1.96813 Mbytes Page：16 Pages	Low Loss DuoPack: IGBT in TRENCHSTOPTM and Fieldstop technology with soft, fast recovery antiparallel Emitter Controlled diode 文件：1.96813 Mbytes 页数：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
AOK20N60	文件：450.77 Kbytes Page：5 Pages	600V,20A N-Channel MOSFET 文件：450.77 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOK20N60	文件：337.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.37Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：337.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Product Status：
active and preferred
Green：
yes
Halogen-free：
yes
Switching Frequency max：
30 kHz
Technology：
IGBT TRENCHSTOP™
Voltage Class max：
600 V
IC @ 100° max：
20 A
VCE(sat)：
1.5 V
Qualification：
Automotive
Eon：
0.31 mJ
Eoff Hard Switching：
0.6 mJ
IF max：
40 A
Qrr：
310 nC
Driver Selection：
5546d4694909da48014909dc0bb301f2=AIKP20N60CT
Type：
IGBT + Diode
Package name：
PG-TO220-3
td(on)：
18 ns
tr：
14 ns
td(off)：
199 ns
tf：
42 ns
QGate：
120 nC
IC @ 25° max：
40 A
IFpuls max：
60 A
VF：
1.65 V
Irrm：
13.3 A
ICpuls max：
60 A
tSC：
5 µs
Soft Switching：
no

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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