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AOK20N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.37Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件:337.76 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

AOK20N60

600V,20A N-Channel MOSFET

文件:450.77 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AOK20N60

600V,20A N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AOK20N60L

600V,20A N-Channel MOSFET

文件:337.08 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AOK20N60L

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:421.72 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

AOK20N60L

高压MOSFET (500V - 1000V)

600V,20A N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

技术参数

  • Package:

    TO247-3L

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    600

  • VGS (±V):

    30

  • ID @ 25°C (A):

    20

  • PD @ 25°C (W):

    417

  • 10V:

    370

  • Qg (4.5V)(nC):

    61

  • VGS(th) max (V):

    4.50

  • Ciss (pF):

    3061

  • Coss (pF):

    273

  • Crss (pF):

    22.80

  • Qgd (nC):

    24

  • Trr (ns):

    480

  • Qrr (nC):

    10.50

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    150

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更多AOK20N60供应商 更新时间2026-4-22 10:02:00