选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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IXYSTO-247 |
528 |
06+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSISOPLUS247 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSISOPLUS24 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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IXYS/艾赛斯ISOPLUS247 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯ISOPLUS247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯ISOPLUS247 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯ISOPLUS247 |
5000 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSISOPLUS247? |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSISOPLUS247? |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IXYSTO-247 |
2100 |
16+ |
公司大量全新现货 随时可以发货 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IXYSNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYS/艾赛斯ISOPLUS247 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYS/艾赛斯TO-247 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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TO-247 |
68900 |
IXYS |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSISOPLUS247 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IXYSTO-247 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
IXGR50N60B采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGR50N60B图片
IXGR50N60B价格
IXGR50N60B价格:¥81.3880品牌:IXYS
生产厂家品牌为IXYS的IXGR50N60B多少钱,想知道IXGR50N60B价格是多少?参考价:¥81.3880。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,IXGR50N60B批发价格及采购报价,IXGR50N60B销售排行榜及行情走势,IXGR50N60B报价。
IXGR50N60BD1中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGR50N60B功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGR50N60B2功能描述:IGBT 晶体管 36 Amps 600V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGR50N60B2D1功能描述:IGBT 晶体管 36 Amps 600V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGR50N60BD1功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 600V 2.3 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXGR50N60B
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
HiPerFAST™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.5V @ 15V,50A
- 开关能量:
3mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
50ns/110ns
- 测试条件:
480V,50A,2.7 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
ISOPLUS247™
- 描述:
IGBT 600V 75A 250W ISOPLUS247