选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSISOPLUS247? |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
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IXYSISOPLUS247 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYSISOPLUS247? |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSISOPLUS247? |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSISOPLUS247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯ISOPLUS247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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IXYSISOPLUS247? |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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IXYSTO-247 |
2500 |
23+ |
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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IXYS-艾赛斯TO-247-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IXYSISOPLUS247 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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IXYSISOPLUS247? |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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IXYSISOPLUS247? |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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IXYSISOPLUS247 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯ISOPLUS247 |
43000 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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IXYS/艾赛斯ISOPLUS247 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IXYSTO-247 |
9960 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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IXYSTO-247 |
3000 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
IXGR50N60B2采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IXGR50N60B2图片
IXGR50N60B2D1中文资料Alldatasheet PDF
更多IXGR50N60B2功能描述:IGBT 晶体管 36 Amps 600V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXGR50N60B2D1功能描述:IGBT 晶体管 36 Amps 600V 2.0 V Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
IXGR50N60B2
- 制造商:
IXYS
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列:
HiPerFAST™
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,40A
- 开关能量:
550µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
18ns/190ns
- 测试条件:
480V,40A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
ISOPLUS247™
- 描述:
IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247