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IXGR50N60B2D1

B2-Class High Speed IGBTs (Electrically Isolated Back Surface)

Features • DCB Isolated mounting tab • Meets TO-247AD package Outline • High current handling capability • Latest generation HDMOSTM process • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • Uninterruptible power supplies (UPS) • Switched-mode and resonant-mode power supplies • AC moto

文件:518.14 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGR50N60B2D1

PT IGBTs

·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;

Littelfuse

力特

IXGR50N60B2D1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247

IXYS

艾赛斯

IXGX50N60B2D1

HiPerFAST IGBT with Diode

B2-Class High Speed IGBTs Features • High frequency IGBT and anti-parallel FRED in one package • High current handling capability • MOS Gate turn-on for drive simplicity • Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED) with soft recovery and low IRM Applications • Switch-mode and resonant-mod

文件:633.24 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGR50N60B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,40A

  • 开关能量:

    550µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    18ns/190ns

  • 测试条件:

    480V,40A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS247™

  • 描述:

    IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXGR50N60B2D1供应商 更新时间2025-10-11 16:31:00