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IXGX50N60B2D1	文件：633.24 Kbytes Page：6 Pages	HiPerFAST IGBT with Diode B2-ClassHighSpeedIGBTs Features •HighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-modeandresonant-mod	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGX50N60B2D1	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3 变式；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 75A 400W TO247	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGK50N60B2D1	文件：633.24 Kbytes Page：6 Pages	HiPerFASTIGBTwithDiode B2-ClassHighSpeedIGBTs Features •HighfrequencyIGBTand anti-parallelFREDinonepackage •Highcurrenthandlingcapability •MOSGateturn-onfordrivesimplicity •FastRecoveryEpitaxialDiode(FRED) withsoftrecoveryandlowIRM Applications •Switch-modeandresonant-mod	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXGR50N60B2D1	文件：518.14 Kbytes Page：6 Pages	B2-ClassHighSpeedIGBTs(ElectricallyIsolatedBackSurface) Features •DCBIsolatedmountingtab •MeetsTO-247ADpackageOutline •Highcurrenthandlingcapability •LatestgenerationHDMOSTMprocess •MOSGateturn-on-drivesimplicity Applications •Uninterruptiblepowersupplies(UPS) •Switched-modeandresonant-modepowersupplies •ACmoto	IXYS IXYS Corporation	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGX50N60B2D1
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
HiPerFAST™
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，40A
开关能量：
550µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/190ns
测试条件：
480V，40A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3 变式
供应商器件封装：
PLUS247™-3
描述：
IGBT 600V 75A 400W TO247

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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