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IXGT20N120

IGBT

VCES = 1200 V IC25 = 40 A VCE(sat) = 2.5 V tfi(typ) = 380 ns Features • International standard packages JEDEC TO-247 and TO-268 • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • AC motor speed control • DC servo an

文件:120.07 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGT20N120

PT IGBTs

·VCES: 300V to 1200V \n·IC(90): 2A to 200A \n·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2\n and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz \n C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)\n C3-300 V IGBT, ;

Littelfuse

力特

IXGT20N120

Package:TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 40A 150W TO268

IXYS

艾赛斯

IXGT20N120B

High Voltage IGBT

VCES = 1200 V IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V tfi(typ) = 160 ns Features • High Voltage IGBT for resonant power supplies - Induction heating - Rice cookers • International standard packages JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD • Low switching losses,

文件:574.24 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGT20N120BD1

High Voltage IGBT with Diode

文件:495.03 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGT20N120B

PT 中频IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管(可选)\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

产品属性

  • 产品编号:

    IXGT20N120

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.5V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    6.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    28ns/400ns

  • 测试条件:

    800V,20A,47 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA

  • 供应商器件封装:

    TO-268AA

  • 描述:

    IGBT 1200V 40A 150W TO268

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXGT20N120供应商 更新时间2026-2-9 10:19:00