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IXGR50N60B2D1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
IXGR50N60B2D1规格书详情
特性 Features
·VCES: 300V to 1200V
·IC(90): 2A to 200A
·High Gain, Low conduction & switching losses. Classes:A2,A3,B2,B3,C2
and C3 ·A2: DC to 10kHz. B2,B3: 15kHz to 40kHz C2: 40kHz to 100kHz
C3: 50kHz -150kHz.·A3-Class Polar IGBT/Diode Types, Mid-Frequency Range (15KHz-40KHz)
C3-300 V IGBT, High Speed PT for 50kHz-150kHz switching·Available with or without ultrafast diode in parallel
技术参数
- 产品编号：
IXGR50N60B2D1
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
HiPerFAST™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，40A
- 开关能量：
550µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
18ns/190ns
- 测试条件：
480V，40A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
ISOPLUS247™
- 描述：
IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS/艾赛斯 |
24+ |
NA/ |
3778 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
0724+ |
TO247 |
795 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IXYS/艾赛斯 |
23+ |
ISOPLUS247 |
43000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IXYS |
25+ |
TO-247-3 |
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IXYS |
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IXYS |
22+ |
ISOPLUS247? |
9000 |
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IXYS |
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ISOPLUS247? |
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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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IXYS/艾赛斯 |
22+ |
TO-247 |
25000 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-247 |
7000 |
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IXYS |
23+ |
TO-247 |
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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