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IXGR32N90B2D1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXGR32N90B2D1

参数属性

IXGR32N90B2D1 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247

功能描述

PT 中频IGBT

封装外壳

TO-247-3

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-7 16:14:00

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IXGR32N90B2D1规格书详情

特性 Features

• 高电流处理能力
• 国际标准包装
• 针对低导通和开关损耗进行了优化
• 超快反并联二极管(可选)
• 雪崩评级
• 方形RBSOA
• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择
• MOS栅极开启简单便捷
• 高频IGBT

应用 Application

• 电源逆变器
• UPS
• 电机驱动器
• SMPS
• PFC电路
• 电池充电器
• 焊接机
• 灯镇流器
• 突入电流保护电路
• 直流斩波器
• 感应加热
• 太阳能系统逆变器
• 功率因数校正电路
• 不间断电源设备
• 开关模式电源
• 电机控制(ACAC/DC电机)
• 电容放电开关

技术参数

  • 制造商编号

    :IXGR32N90B2D1

  • 生产厂家

    :Littelfuse

  • Collector Current @ 25 ℃ (A)

    :47

  • VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

    :2.9

  • Fall Time [Inductive Load] (ns)

    :165

  • Configuration

    :Copack (FRED)

  • Package Type

    :PLUS247™

  • Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)

    :0.8

  • Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)

    :5.25

  • Collector Current @ 110 ℃ (A)

    :22

  • Thermal resistance [junction-case] [Diode] (K/W)

    :1.1

  • Forward Current @ 110 ℃ (A)

    :22

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