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IXGR32N90B2D1

PT 中频IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管(可选)\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

IXGR32N90B2D1

HiPerFASTTM IGBT with Fast Diode

文件:205.66 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGR32N90B2D1

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247

IXYS

艾赛斯

IXGT32N90B2D1

HiPerFAST IGBT with Fast Diode

B2-Class High Speed IGBTs with Ultrafast Diode Features • High frequency IGBT • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity Applications • PFC circuits • Uninterruptible power supplies (UPS) • Switched-mode and resonant-mode power supplies • AC motor spe

文件:225.77 Kbytes 页数:7 Pages

IXYS

艾赛斯

产品属性

  • 产品编号:

    IXGR32N90B2D1

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 15V,32A

  • 开关能量:

    2.2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    20ns/260ns

  • 测试条件:

    720V,32A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS247™

  • 描述:

    IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247

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更多IXGR32N90B2D1供应商 更新时间2026-1-29 10:19:00