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IXGQ28N120B数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IXGQ28N120B

参数属性

IXGQ28N120B 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 50A 250W TO3P

功能描述

High Voltage IGBT with Diode

封装外壳

TO-3P-3,SC-65-3

制造商

Littelfuse littelfuse

中文名称

力特 力特公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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技术参数

  • 产品编号:

    IXGQ28N120B

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    3.5V @ 15V,28A

  • 开关能量:

    2mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    30ns/180ns

  • 测试条件:

    960V,28A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 描述:

    IGBT 1200V 50A 250W TO3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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