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IXGT16N170	文件：102.77 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage IGBT High Voltage IGBT Features • International standard packages JEDEC TO-268 and JEDEC TO-247 AD • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Rugged NPT structure • Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification Applications • Capacitor discha 文件：102.77 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT16N170	文件：158.62 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage IGBT 文件：158.62 Kbytes 页数：5 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT16N170	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPT 高电压 IGBT • 国际标准包装\n• 高电流处理能力\n• MOS栅极开启 - 简化设计\n• 坚固的NPT结构\n• 成型环氧树脂达到UL 94V-0可燃性分类要求;	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGT16N170	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1700V 32A 190W TO268	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT16N170A	文件：526.4 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage IGBT Features • High blocking voltage • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Rugged NPT structure • Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification • SONIC-FRDTM fast recovery copack diode • International standard packages JEDEC TO-268 and JEDEC TO- 文件：526.4 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT16N170AH1	文件：526.4 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage IGBT Features • High blocking voltage • High current handling capability • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Rugged NPT structure • Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification • SONIC-FRDTM fast recovery copack diode • International standard packages JEDEC TO-268 and JEDEC TO- 文件：526.4 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT16N170A	文件：96.07 Kbytes Page：2 Pages	High Voltage IGBT 文件：96.07 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT16N170A	文件：176.26 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage IGBT 文件：176.26 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT16N170AH1	文件：176.26 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage IGBT 文件：176.26 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT16N170A	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPT 高电压 IGBT • 国际标准包装\n• 高电流处理能力\n• MOS栅极开启 - 简化设计\n• 坚固的NPT结构\n• 成型环氧树脂达到UL 94V-0可燃性分类要求;	Littelfuse 力特	Littelfuse

产品属性

产品编号：
IXGT16N170
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，16A
开关能量：
9.3mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
45ns/400ns
测试条件：
1360V，16A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268AA
描述：
IGBT 1700V 32A 190W TO268

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