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IXGT28N120B	文件：575.28 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage IGBT Features ●HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Advantages ●Highpowerdensity ●Suita	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT28N120B	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 50A 250W TO268	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGT28N120BD1	文件：203.36 Kbytes Page：6 Pages	High Voltage IGBT w/ Diode Features ●InternationalStandardPackages JEDECTO-247AD&TO-268 ●IGBTandAnti-ParallelFREDforResonantPowerSupplies -InductionHeating -RiceCookers ●MOSGateTurn-On ●FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -SoftRecoverywithLowIRM Advantages ●SavesS	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGH28N120B	文件：575.28 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBT Features ●HighVoltageIGBTforresonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers ●Internationalstandardpackages JEDECTO-268andJEDECTO-247AD ●Lowswitchinglosses,lowV(sat) ●MOSGateturn-on -drivesimplicity Advantages ●Highpowerdensity ●Suita	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGP28N120B	文件：570.84 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageIGBT	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IXGQ28N120B	文件：512.87 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageIGBTwithDiode Features •Internationalstandardpackage •IGBTandanti-parallelFREDfor resonantpowersupplies -Inductionheating -Ricecookers •MOSGateturn-on -drivesimplicity •FastRecoveryExpitaxialDiode(FRED) -softrecoverywithlowIRM Advantages •Savesspace(two	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS

产品属性

产品编号：
IXGT28N120B
制造商：
IXYS
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
PT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，28A
开关能量：
2.2mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/210ns
测试条件：
960V，28A，5 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装：
TO-268AA
描述：
IGBT 1200V 50A 250W TO268

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