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|---|---|---|---|---|
IXGP28N120B | High Voltage IGBT 文件：570.84 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
IXGP28N120B | Package：TO-220-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 50A 250W TO220 | IXYS 艾赛斯 | IXYS | |
High Voltage IGBT with Diode Features • International standard package • IGBT and anti-parallel FRED for resonant power supplies - Induction heating - Rice cookers • MOS Gate turn-on - drive simplicity • Fast Recovery Expitaxial Diode (FRED) - soft recovery with low IRM Advantages • Saves space (two 文件：512.87 Kbytes 页数：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS | ||
High Voltage IGBT Features ● High Voltage IGBT for resonant power supplies - Induction heating - Rice cookers ● International standard packages JEDEC TO-268 and JEDEC TO-247 AD ● Low switching losses, low V(sat) ● MOS Gate turn-on - drive simplicity Advantages ● High power density ● Suita 文件：575.28 Kbytes 页数：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | IXYS |
产品属性
- 产品编号：
IXGP28N120B
- 制造商：
IXYS
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.5V @ 15V，28A
- 开关能量：
2mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/180ns
- 测试条件：
960V，28A，5 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 1200V 50A 250W TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXYS |
1931+ |
N/A |
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IXYS |
25+ |
TO-220 |
375 |
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IXYS |
22+ |
NA |
18 |
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IXYS |
22+ |
TO220AB |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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IXYS |
2022+ |
TO-220AB |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
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IXYS |
25+ |
TO-220-3 |
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46000 |
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IXYS/艾赛斯 |
2022+ |
20 |
全新原装 货期两周 |
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IXYS/艾赛斯 |
23+ |
TO-TO-220 |
12300 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IXYS(艾赛斯) |
25+ |
N/A |
7500 |
IXYS(艾赛斯)全系列在售 |
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