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IXGR120N60B

PT 中频IGBT

• 高电流处理能力\n• 国际标准包装\n• 针对低导通和开关损耗进行了优化\n• 超快反并联二极管(可选)\n• 雪崩评级\n• 方形RBSOA\n• 300V范围内MOSFET的低成本替代选择\n• MOS栅极开启简单便捷\n• 高频IGBT;

Littelfuse

力特

IXGR120N60B

HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM

文件:566.42 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGR120N60B

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 156A 520W ISOPLUS247

IXYS

艾赛斯

IXGX120N60B

HiPerFAST IGBTs

文件:161.86 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXGX120N60B

HiPerFAST IGBT

文件:46.46 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

PJMF120N60EC

600V N-Channel Super Junction MOSFET

Feature:  RDS(ON) Max, VGS@10V: 120mΩ  Easy to use/ drive  High Speed Switching and Low RDS(ON)  100 Avalanche Tested  100 Rg Tested  Lead free in compliance with EU RoHS 2.0  Green molding compound as per IEC 61249 standard Mechanical Data  Case: ITO-220AB-F package  Terminals:

文件:567.82 Kbytes 页数:7 Pages

PANJIT

強茂

产品属性

  • 产品编号:

    IXGR120N60B

  • 制造商:

    IXYS

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 系列:

    HiPerFAST™

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    PT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,100A

  • 开关能量:

    2.4mJ(开),5.5mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    60ns/200ns

  • 测试条件:

    480V,100A,2.4 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    ISOPLUS247™

  • 描述:

    IGBT 600V 156A 520W ISOPLUS247

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IXGR120N60B供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00