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IXGT72N60A3	文件：206.54 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 600V IGBT OVERVIEW IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor (IGBT) product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT process and utilize IXYS’ advanced Punch-Though (PT) technology, tailored to provide higher surge current capabil 文件：206.54 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT72N60A3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGT72N60A3	文件：300 bytes Page：1 Pages	PT 低频IGBT	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXGH72N60A3	文件：839.36 Kbytes Page：4 Pages	600V GenX3 IGBTs next generation 600V IGBTs for power conversion applications 文件：839.36 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGH72N60A3	文件：206.54 Kbytes Page：6 Pages	GenX3 600V IGBT OVERVIEW IXYS extends its GenX3™ insulated gate bipolar transistor (IGBT) product line to 600 volts. These new IGBTs are manufactured using IXYS’ state-of-the-art GenX3™ IGBT process and utilize IXYS’ advanced Punch-Though (PT) technology, tailored to provide higher surge current capabil 文件：206.54 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXGN72N60A3	文件：190.02 Kbytes Page：6 Pages	Ultra Low Vsat PT IGBT for up to 5kHz switching 文件：190.02 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Collector Current @ 25 ℃ (A)：
75
VCE(sat) - Collector-Emitter Saturation Voltage (V)：
1.35
Fall Time [Inductive Load] (ns)：
250
Configuration：
Single
Package Type：
TO-268S
Thermal resistance [junction-case] [IGBT] (K/W)：
0.23
Turn-off Energy @ 125 ℃ (mJ)：
6.5
Collector Current @ 110 ℃ (A)：
72

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更多IXGT72N60A3供应商更新时间2026-2-8 19:00:00

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