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IXFR27N80	文件：330.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 300mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：330.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFR27N80Q	文件：55.88 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trr Features • IXYS advanced low Qg process • Low gate charge and capacitances - easier to drive - faster switching • International standard packages • Low RDS (on) • Rated for unclamped Inducti 文件：55.88 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFR27N80Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS	Littelfuse 力特	Littelfuse
IXFX27N80	文件：368.06 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.3Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC conve 文件：368.06 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFX27N80Q	文件：96.66 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS 文件：96.66 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFX27N80Q	文件：55.88 Kbytes Page：2 Pages	HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS Single MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trr Features • IXYS advanced low Qg process • Low gate charge and capacitances - easier to drive - faster switching • International standard packages • Low RDS (on) • Rated for unclamped Inducti 文件：55.88 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

详细参数

型号：
IXFR27N80
功能描述：
MOSFET 27 Amps 800V 0.35W Rds
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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