HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247 Q-Class

HiPerFET™ Power MOSFETs ISOPLUS247™, Q-Class (Electrically Isolated Backside) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Features • Silicon chip on Direct-Copper-Bond substrate - High power dissipation - Isolated mounting surface - 2500V electrical isolation

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IXYS

艾赛斯

Preliminary Technical Information

N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Rectifier VDSS = 500V ID25 = 25A RDS(on) ≤154mΩ trr ≤250ns Features Silicon Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Substrate Isolated Mounting Surface Low Intrinsic Gate Resistance 2500V~ Electrical Isolation Fast Intrinsic Rect

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IXYS

艾赛斯

HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class

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IXYS

艾赛斯

N通道HiPerFET MOSFET

• 国际标准包装\n• 坚固的多晶硅栅极单元结构\n• 适用于非钳位感应开关（UIS）\n• 快速本征整流器;

Littelfuse

力特

N通道HiPerFET

• 每个硅片面积的Rdson较低\n• 较低的Qg和Qgd\n• 卓越的dV/dt性能\n• 高速开关\n• 快速本征整流器\n• 较低的本征栅极电阻\n• 较高的雪崩能量性能\n• 卓越的热性能;

Littelfuse

力特