IXFN61N50规格书供应代理艾赛斯IXYS-114ic电子网

首页 >IXFN61N50>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IXFN61N50	文件：38.22 Kbytes Page：2 Pages	High Current Power MOSFET High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard package • Isolation voltage 3000V (RMS) • Low RDS (on) HDMOSTM processl • Rugged polysilicon gate cell structure • Low drain-to-case capacitance ( 文件：38.22 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXTN61N50	文件：53.34 Kbytes Page：2 Pages	High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features • International standard package • Isolation voltage 3000V (RMS) • Low RDS(on) HDMOSTM process • Rugged polysilicon gate cell structure • Low drain-to-case capacitance ( 文件：53.34 Kbytes 页数：2 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFN64N50P	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-227B	IXYS 艾赛斯上传：深圳市维众兴电子有限公司	IXYS
IXFN70N120SK	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-227B	IXYS/LITTELFUSE 上传：深圳市斌腾达科技有限公司	IXYS/LITTELFUSE
IXFN70N120SK	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-227-4	IXYS艾赛斯上传：浙江永芯科技有限公司	IXYS艾赛斯

更多IXFN61N50供应商更新时间2026-2-1 10:51:00