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IXFP7N80PM

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 动态dv/dt额定值\n• 雪崩评级\n• 快速本征整流器\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的漏极至弹片电容\n• 较低的封装电感;

Littelfuse

力特

IXFP7N80PM

PolarHV HiPerFET Power MOSFET

文件:86.45 Kbytes 页数:4 Pages

IXYS

艾赛斯

JCS7N80C

N-CHANNEL MOSFET

APPLICATIONS  Switched mode power suppliesy  Electronic ballast FEATURES Low gate charge Low Crss (typical 11.3pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product

文件:564.01 Kbytes 页数:8 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

JCS7N80CH-O-C-N-B

Electronic ballast

文件:961.4 Kbytes 页数:9 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

JCS7N80FH-O-F-N-B

Electronic ballast

文件:961.4 Kbytes 页数:9 Pages

JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    IXFP7N80PM

  • 功能描述:

    MOSFET 4 Amps 800V 1.44 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
17+
TO-220Overmolded
31518
原装正品 可含税交易
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IXYS/艾赛斯
23+
TO-220FP
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原装正品 华强现货
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IXYS
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TO-220Overmolded
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IXYS
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更多IXFP7N80PM供应商 更新时间2025-12-15 14:02:00