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MTW7N80E	文件：322.57 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW7N80E	文件：220.96 Kbytes Page：8 Pages	TMOS POWER FET 7.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 1.0 OHM TMOSE−FETPowerFieldEffectTransistorTO-247withIsolatedMountingHole N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedTMO	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTW7N80E	文件：204.08 Kbytes Page：8 Pages	N?묬hannel Power MOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJ7N80	文件：684.54 Kbytes Page：6 Pages	7.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ7N80-BL	文件：684.54 Kbytes Page：6 Pages	7.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ7N80F-LI	文件：684.54 Kbytes Page：6 Pages	7.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ7N80-LI	文件：684.54 Kbytes Page：6 Pages	7.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RMP7N80TI	文件：906.09 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET FEATURES •LowCrss •Lowgatecharge •Fastswitching •ImprovedESDcapability •Improveddv/dtcapability •100%avalancheenergytest	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
SIF7N80C	文件：440.82 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD. 深爱半导体深圳深爱半导体股份有限公司	SISEMIC
SLB7N80C	文件：334.22 Kbytes Page：6 Pages	800VN-ChannelMOSFET	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美普森深圳市美普森半导体有限公司	MAPLESMI

详细参数

型号：
MTW7N80E
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
ON Semiconductor

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深圳市高捷芯城科技有限公司	MTW7N80E	onsemi(安森美)	24+	-	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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