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IXFP16N50P3	文件：283.26 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Polar3 ™ HiPerFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • International Standard Packages • Fast Intrinsic Rectifier • Avalanche Rated • Low RDS(ON) and QG • Low Package Inductance Advantages • High Power Density • Easy to Mount • Sp 文件：283.26 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFA16N50P3	文件：333.38 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.36Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：333.38 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IXFA16N50P3	文件：283.26 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Polar3 ™ HiPerFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • International Standard Packages • Fast Intrinsic Rectifier • Avalanche Rated • Low RDS(ON) and QG • Low Package Inductance Advantages • High Power Density • Easy to Mount • Sp 文件：283.26 Kbytes 页数：6 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
IXFH16N50P3	文件：337.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 16A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.36Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：337.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

详细参数

型号：
IXFP16N50P3
功能描述：
MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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