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IXFP12N50PM

Polar Power MOSFET HiPerFET

Polar™ Power MOSFET HiPerFET™ (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode Features • Plastic overmolded tab for electrical isolation • International standard package • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy t

文件:114.99 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFP12N50PM

N通道HiPerFET

• 国际标准包装\n• 雪崩评级\n• 较低的QG和RDS(on)\n• 较低的封装电感\n;

Littelfuse

力特

IXFT12N50F

HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching

HiPerRF™ Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching

文件:303.26 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

IXTA12N50P

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:298.8 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IXTA12N50P

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier Features • International Standard Packages • Dynamic dv/dt Rating • Avalanche Rated • Fast Intrinsic Rectifier • Low QG • Low RDS(on) • Low Drain-to-Tab Capacitance • Low Package Inductance Advantages • Easy to Mount

文件:164.69 Kbytes 页数:2 Pages

IXYS

艾赛斯

详细参数

  • 型号:

    IXFP12N50PM

  • 功能描述:

    MOSFET 6 Amps 500V 2 Rds

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IXYS/艾赛斯
23+
TO-220包覆成型
59580
原装正品 华强现货
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IXYS
24+
TO-220Overmolded
8866
询价
IXYS
23+
TO-220-3
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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IXYS
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N/A
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TO-220
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22+
NA
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TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
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IXYS/艾赛斯
23+
TO-220Overmolded
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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IXYS
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TO-220铁头
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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IXYS
2022+
TO-220-3
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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更多IXFP12N50PM供应商 更新时间2026-1-30 8:31:00