TrenchMV Power MOSFET HiperFET

TrenchMV™ Power MOSFET HiperFET™ N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast intrisic diode Features • Ultra-low On Resistance • Unclamped Inductive Switching (UIS) rated • Low package inductance - easy to drive and to protect • 175 °C Operating Temperature • Fast intrinsic diode

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

TrenchT2™ HiperFET™ Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrnsic Rectifier Features • International Standard Packages • 175°C Operating Temperature • High Current Handling Capability • Fast Intrinsic Rectifier • Dynamic dV/dt Rated • Low RDS(on) Advantages • Ea

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IXYS

艾赛斯

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N通道沟槽栅 Gen1 MOSFET

• 国际标准包装\n• 低RDS(ON)\n• 雪崩评级\n• 高电流处理能力\n• 快速本征整流器;

Littelfuse

力特

N通道沟槽栅MOSFET

• 高电流性能（高达600A）\n• 较低的RDS(ON) 和栅极电荷(Qg)\n• Incorporates Littelfuse HiPerFETTM technology for fast power switching 性能\n• 雪崩功能;

Littelfuse

力特