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IXFP130N10T	文件：156.44 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMV Power MOSFET HiperFET TrenchMV™PowerMOSFETHiperFET™ N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated Fastintrisicdiode Features •Ultra-lowOnResistance •UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated •Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect •175°COperatingTemperature •Fastintrinsicdiode	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP130N10T	文件：295.44 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP130N10T2	文件：188.18 Kbytes Page：6 Pages	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET TrenchT2™HiperFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated FastIntrnsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •175°COperatingTemperature •HighCurrentHandlingCapability •FastIntrinsicRectifier •DynamicdV/dtRated •LowRDS(on) Advantages •Ea	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXFP130N10T2	文件：295.45 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTA130N10T	文件：154.26 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMVTMPowerMOSFETN-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
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IXTH130N10T	文件：272.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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详细参数

型号：
IXFP130N10T
功能描述：
MOSFET 130 Amps 100V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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